參數(shù)資料
型號(hào): FQP19N20C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 19 A, 200 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 1144K
代理商: FQP19N20C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
10
-2
10
-1
10
0
N ote s :
1 . Z
θ
JC
(t) = 0.90
2 . D uty F actor, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
/W M a x.
single pulse
D = 0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W a ve P u lse D u ration [se c]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 2.89
2. D uty F actor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
/W M ax.
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q uare W ave P ulse D uration [sec]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP19N20C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF19N20C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF19N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF1N50 500V N-Channel MOSFET
FQPF1P50 500V P-Channel MOSFET
FQPF1N60 600V N-Channel MOSFET
FQPF20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP19N20C_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP19N20C_Q 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP19N20CTSTU 功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQP19N20L 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP19N20TSTU 功能描述:MOSFET Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube