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參數(shù)資料
| 型號： | FP10R06KL4B3V6 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | FP10R06KL4B3V6 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4B3
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
10(11)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP10W90HVX2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
| FP1189-G | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB1900S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB2140S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB900S | 1/2 - Watt HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
| FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06YE3_B4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R12KE3 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100274_IGBT MODULE_TRAYS_RO |
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