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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FP-504 |
| 英文描述： | Wideband RF/Pulse Transformer 1-500 MHz |
| 中文描述： | 寬帶RF /脈沖變壓器1-500兆赫 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | FP-504 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP-514 | Wideband RF/Pulse Transformer 1-500 MHz |
| FP-510 | Wideband RF/Pulse Transformer 1-1000 MHz |
| FP-512 | Wideband RF/Pulse Transformer 1-1200 MHz |
| FP-518 | Wideband RF/Pulse Transformer 1-750 MHz/1-100 MHz |
| FP-530 | Wideband RF/Pulse Transformer 1-750 MHz/1-100 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP50F | 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:High Voltage Rectifier Stacks |
| FP50N06L | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
| FP50R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP50R06KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP50R06W2E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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