參數(shù)資料
型號： FLM7785-8F
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： C-Band Internally Matched FET
中文描述： C波段內(nèi)部匹配場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 251K
代理商： FLM7785-8F
2
FLM7785-8F
C-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
20
40
30
10
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 8.5 GHz
f2 = 8.51 GHz
2-tone test
14
16
18
20
24
22
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
24
26
28
30
32
34
-50
-40
-30
-20
O
IM3
Pout
I
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=31.5dBm
29.5dBm
27.5dBm
25.5dBm
7.9
7.7
8.1
8.3
8.5
Frequency (GHz)
37
38
39
40
41
36
35
O
VDS=10V
P1dB
VDS=10V
f = 8.1 GHz
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
22
24
26
28
30
32
Input Power (dBm)
36
38
40
42
34
32
30
30
45
15
0
O
η
add
Pout
η
a
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