參數(shù)資料
型號： FJZ733
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Low Frequency Amplifier
中文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-623F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： FJZ733
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, July 2003
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
h
FE
Classification & Marking
Classification
h
FE
Marking
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Ratings
-60
-50
-5
-150
100
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
NF
Parameter
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10
μ
A. I
C
=0
V
CB
= --60V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CB
= -10V, I
E
= 0, f=1MHz
V
CE
= -6V, I
C
= -0.3mA
f=1MHz, Rs=10k
Min.
-60
-50
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
-100
-100
700
-0.3
-0.80
40
-0.18
-0.62
180
2.8
6.0
V
V
-0.50
50
MHz
pF
dB
Symbol
R
θ
JA
Parameter
Max.
1250
Units
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
O
Y
G
L
40 ~ 80
A2
70 ~ 140
A3
120 ~ 240
A1
200 ~ 400
A4
350 ~ 700
A5
FJZ733
Low Frequency Amplifier
Collector-Base Voltage : V
CBO
= -60V
Complement to FJZ945
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
SOT-623F
A1
Marking
相關PDF資料
PDF描述
FJZ945 Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC.
FK-130 FK-130RH
FK-130SH-09450 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FK-130RH-09490 FK-130RH
FK10KM-10 CAP 1500PF 200V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK S-MIL-PRF-20 STANDOFF
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FJZ733GTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733GTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733LTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733LTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733OTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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