參數(shù)資料
型號: FJX597JH
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2MM TERMINAL STRIPS
中文描述: 1 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝: SOT-323, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商: FJX597JH
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, October 2004
F
Si N-channel Junction FET
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
GDO
Gate-Drain Voltage
I
G
Gate Current
I
D
Drain Current
P
D
Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
GDO
Gate-Drain Breakdown Voltage
V
GS
(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
I
DSS
Drain Current
lY
FS
l
Forward Transfer Admittance
C
ISS
Input Capacitance
C
RSS
Output Capacitance
Parameter
Ratings
-20
10
1
100
150
-55 ~ 150
Units
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
G
= -100uA
V
DS
=5V, I
D
=1
μ
A
V
DS
=5V, V
GS
=0
V
DS
=5V, V
GS
=0, f=1MHz
V
DS
=5V, V
GS
=0, f=1MHz
V
DS
=5V, V
GS
=0, f=1MHz
Min.
-20
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
mS
pF
pF
-0.6
-1.5
240
150
0.4
1.2
3.5
0.65
FJX597JB
Capacitor Microphone Applications
Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones
Excellent Voltage Characteristic
Excellent Transient Characteristic
1. Drain 2. Source 3. Gate
1
2
SOT-323
Marking: SCB
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJX597J Si N-channel Junction FET(硅N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
FJX733 Low Frequency Amplifier
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FJY3001R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJY3002R NPN Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJX597JHBU 功能描述:JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
FJX597JHTF 功能描述:JFET Sil N-Ch Junct FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
FJX733 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier
FJX733GTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJX733GTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2