參數(shù)資料
型號(hào): FJV3109R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商: FJV3109R
Package Dimensions
F
0.96~1.14
0.12
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±
0.03
2.90
±
0.10
0.95
±
0.03
0.95
±
0.03
1.90
±
0.03
0.508REF
0
1
±
0
0
2
±
0
+0.05
–0.023
0
0.40
±
0.03
SOT-23
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJV3110R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3111 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3111R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3112R 2-Wire Meter 277Vac Red LED RoHS Compliant: Yes
FJV3113R NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJV3109RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3110R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3110RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3111 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3111R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor