參數(shù)資料
型號： FJV3108R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 55K
代理商： FJV3108R
Package Dimensions
F
0.96~1.14
0.12
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±
0.03
2.90
±
0.10
0.95
±
0.03
0.95
±
0.03
1.90
±
0.03
0.508REF
0
1
±
0
0
2
±
0
+0.05
–0.023
0
0.40
±
0.03
SOT-23
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FJV3108RMTF_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/47K 22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3109R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3109RMTF 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3110R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
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