參數(shù)資料
型號(hào): FJNS7565
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: For Output Amplifier of Electronic Flash Unit
中文描述: 5000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92MINI, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商: FJNS7565
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, May 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Collector Output Capacitance
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
I
B
=60mA
I
B
=40mA
I
B
=20mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
=2V
Ta= 125
0
C
Ta= 25
0
C
Ta= -40
0
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Ta= 125
0
C
Ta= 25
0
C
Ta= -40
0
C
I
C
=50I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
Ta= 125
0
C
Ta= 25
0
C
Ta= -40
0
C
I
C
=50I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
Ta= -40
0
C
Ta= 25
0
C
Ta= 125
0
C
V
CE
=2V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
0
20
40
60
80
I
E
=0,f=1MHZ
C
O
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FJNS7565TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP.0B.307.YLAD52Z 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 7P R/A PLUG SOLDER CABLE COLLET 5.2MM RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點(diǎn)數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A
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FJP13007_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor