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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FJNS4209R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | FJNS4209R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Value
-40
-40
-5
-100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
Min.
-40
-40
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
-0.1
600
-0.3
100
V
pF
5.5
f
T
R
Current Gain Bandwidth Product
Input Resistor
200
4.7
MHz
K
3.2
6.2
FJNS4209R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R=4.7K
)
Complement to FJNS3209R
Equivalent Circuit
B
E
C
R
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS4210R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4211R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4212R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4213R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4214R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJNS4209RBU | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4209RBU_Q | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4209RTA | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4210R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4210RBU | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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