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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FJN965 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | FJN965 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Voltage
BV
EBO
Emitter Base Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Band Width Product
C
ob
Collector Output Capacitance
Parameter
Ratings
40
20
7
5
0.75
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=1mA, I
B
=0
I
C
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=10V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
B
=0
V
EB
=7V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
V
CE
=2V, I
C
=2A
I
C
=3A, I
B
=0.1A
V
CE
=6V, I
C
=50mA
V
CB
=20V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
20
7
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
0.1
1
0.1
600
DC Current Gain
230
150
1
V
150
23
MHz
pF
FJN965
For Output Amplifier of Electronic Flash Unit
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Performance at Low Supply Voltage
1. Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92
1
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PDF描述 |
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| FJN965TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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