參數資料
型號： FJN3311R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 26K
代理商： FJN3311R
Package Dimensions
F
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
3.60
±
0.20
1
±
0
1
±
0
(
4
±
0
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
0
+
–
TO-92
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
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PDF描述
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參數描述
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FJN3311RBU_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN3311RTA 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJN3312R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3312RBU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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