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參數資料
| 型號： | FJN3303 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | FJN3303 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 3. Input Off Voltage
Figure 2. Input On Voltage
Figure 4. Power Derating
1
10
100
1000
10
100
1000
V
CE
= 5V
R
1
= 22K
R
2
= 22K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
100
1000
V
CE
= 5V
R
1
= 22K
R
2
= 22K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
CE
= 0.3V
R
1
= 22 K
R
2
= 22 K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJN3303R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJN3304R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FJN3303FBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Voltage Fast Swth NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJN3303FTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Volt Fast Switch NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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