參數(shù)資料
型號(hào)： FJD3076
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： FJD3076
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. C1, December 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Safe Operating Area
0
10
20
30
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 2mA
I
B
= 4mA
I
B
= 6mA
I
B
= 8mA
I
B
= 10mA
I
B
= 12mA
I
B
= 18mA
I
B
= 16mA
I
B
= 14mA
I
B
= 20mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 1V
V
CE
= 3V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
10
100
1000
I
=0
f=1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
1000
V
CE
= 3V
I
C
(
V
BE
(mV), BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
0.01
0.1
1
10
*SINGLE NONREPETITIVE
PULSE T
C
=25[
o
C]
V
C
SbLmted
I
C
(DC) MAX.
PW=100us
1ms
Dsspaion Lmted
DC
10ms
I
C
(Pulse) MAX.
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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