參數(shù)資料
型號： FGA25N120ANTD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200V NPT Trench IGBT
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： FGA25N120ANTD
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGA25N120AND IGBT
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
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參數(shù)描述
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FGA25N120ANTDTUX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N)
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