參數(shù)資料
型號： FF800R12KL4C
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 8/8頁
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代理商： FF800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
FF 800 R 12 KL4C
IGBT-Module
IGBT-Modules
8(8)
Seriendatenblatt_FF800R12KL4C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF800R17KF6B2 IGBT Module
FF800R17KF6CB2 IGBT Module
FF8R12K4 IGBT Module
FF90R17KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.7KV V(BR)CES | 90A I(C) | M:HL093HW048
FFD040 Optoelectronic
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參數(shù)描述
FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FF800R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FF800R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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