參數(shù)資料
型號： FDZ208P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 30 Volt PowerTrench
中文描述： 12.5 A, 30 V, 0.0105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-30
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： FDZ208P
FDZ208P Rev C3 (W)
Typical Characteristics
0
15
30
45
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.0V
-3.5V
-4.5V
V
GS
=-10V
-6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
15
30
45
60
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -3.5V
-6.0V
-5.0V
-10V
-4.5V
-8.0V
-4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -12.5A
V
GS
= -10V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -6.2 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
15
30
45
60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ209N 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
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FDZ2552P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
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FDZ2553N Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
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參數(shù)描述
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FD-Z20W 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:FIBER DIFFUSE REFLECT FLAT R1
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