參數(shù)資料
型號: FCA20N60_F109
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
標準包裝: 30
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫歐 @ 10A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3080pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝: TO-3PN
包裝: 管件