參數資料
型號： F1430
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： F1430
POUT VS PIN GRAPH
F1430
F1E 8 DICE CAPACITANCE
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F1E 8 DICE IV
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSINVOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
F1E 8 DICE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION 1/12/98
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PDF描述
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