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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F1401 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | F1401 |
F-1401 PIN VS POUT F=400 MHZ; IDQ=0.2A; VDS=50.0V
PIN IN WATTS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
8
9
10
11
12
13
14
15
16
POUT
GAIN
Efficiency = 75%
POUT VS PIN GRAPH
F1401
F1E 1 DIE CAPACITANCE
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F1E 1 DE IV
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSINVOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
0
vg=12v
F1E 1 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1410 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1415 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1427 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1430 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1510 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F-1401 | 制造商:RHOMBUS-IND 制造商全稱:Rhombus Industries Inc. 功能描述:Common Mode Chokes for Telecom Applications |
| F1402 | 功能描述:開(kāi)關(guān)配件 Pushbutton RoHS:否 制造商:C&K Components 類型:Cap 用于:Pushbutton Switches 設(shè)計(jì)目的: |
| F-1402 | 制造商:RHOMBUS-IND 制造商全稱:Rhombus Industries Inc. 功能描述:Common Mode Chokes for Telecom Applications |
| F140200/01050 | 制造商:Dynapar 功能描述: |
| F1403 | 功能描述:開(kāi)關(guān)配件 Pushbutton RoHS:否 制造商:C&K Components 類型:Cap 用于:Pushbutton Switches 設(shè)計(jì)目的: |
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