- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄384292 > EM422M1622VTA (Electronic Theatre Controls, Inc.) 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EM422M1622VTA |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16兆（2Banks）同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 833K |
| 代理商： | EM422M1622VTA |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)當(dāng)前第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)
Rev.01
16Mb SDRAM
16/18
AC Operating Test Conditions
( VDD = 3.3V +/- 0.3 V, Ta = 0 ~ 70 °C , Ta = -40 to 85°C for 6I )
Output Reference Level
1.4V / 1.4V
Output Load
See diagram as below
Input Signal Level
2.4V / 0.4V
Transition Time of Input Signals
2ns
Input Reference Level
1.4V
Z = 50
50pF
50
V
tt
= 1.4V
Output
Parameter
Test condition
Symbol
Max.
Unit
Min.
Input leakage current
0
≤
V
I
≤
V
DD
Q, V
DDQ
=V
DD
All other pins not under test=0 V
I
IL
+0.5
uA
-0.5
Output leakage current
0
≤
V
O
≤
V
DD
Q, DOUT is disabled
I
OL
+0.5
uA
-0.5
High level output voltage
Io = -4mA
V
OH
V
2.4
Low level output voltage
Io = +4mA
V
OL
V
0.4
Recommended DC Operating Conditions ( Continued )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EM422M1622VTB | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM424M912VTB | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM424M914VTA | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM424M914VTB | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM424M922VTA | 16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EM422M1622VTB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM422M1624VTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM422M1624VTB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mb ( 2Banks ) Synchronous DRAM |
| EM422M1644RTA-5FE | 制造商:EOREX 制造商全稱:EOREX 功能描述:128Mb (2M】4Bank】16) Double DATA RATE SDRAM |
| EM422M1644RTA-6FE | 制造商:EOREX 制造商全稱:EOREX 功能描述:128Mb (2M】4Bank】16) Double DATA RATE SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。