FIGURE 25. SMALL SIGNAL TRANSIENT REPONSE FIGURE 26. OUTPUT SWING FIGURE 27. OUTPUT SWING FIGURE 28. ENABLED RESPONSES (EL8202) FIGURE 29. DISAB" />
參數(shù)資料
型號： EL8203ISZ-T13
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 16/16頁
文件大小： 0K
描述： IC AMP DUAL R-R 500MHZ 8-SOIC
標準包裝： 2,500
放大器類型： 電壓反饋
電路數(shù)： 2
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 600 V/µs
增益帶寬積： 200MHz
-3db帶寬： 500MHz
電流 - 輸入偏壓： 6µA
電壓 - 輸入偏移： 800µV
電流 - 電源： 5.6mA
電流 - 輸出 / 通道： 65mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 3 V ~ 5 V，±1.5 V ~ 2.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
9
FIGURE 25. SMALL SIGNAL TRANSIENT REPONSE
FIGURE 26. OUTPUT SWING
FIGURE 27. OUTPUT SWING
FIGURE 28. ENABLED RESPONSES (EL8202)
FIGURE 29. DISABLED RESPONSE (EL8202)
FIGURE 30. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
10ns/DIV
2.4
2.6
2.5
2.6
2.4
2.5
VOUT
VIN
VS=5V, AV=1, RL=1k TO 2.5V, CL= 2.5pF
2s/DIV
0
2.5
5
VS=5V, AV=5, RL=1k to 2.5V
2s/DIV
0
2.5
5
VS=5V, AV=5, RL=1k TO 2.5V
CH1, CH2, 1V/DIV, M=100ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
CH1, CH2, 0.5V/DIV, M=20ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
486mW
θJA=206°C/W
MSOP8/10
625mW
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
833mW
θ
JA =
120
°C
/W
SO
14
633mW
θ
JA=158°C/W
θJA=160°C/W
SO8
QSOP16
EL8202, EL8203, EL8403
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PDF描述
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