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參數(shù)資料
| 型號： | EDI9F416128C |
| 英文描述： | 4x128Kx16 Static RAM CMOS, Module(4x128Kx16 CMOS靜態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4x128Kx16靜態(tài)RAM的CMOS模塊（4x128Kx16的CMOS靜態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | EDI9F416128C |
EDI9F416128C
4x128Kx16 SRAM Module
5
EDI9F416128C Rev. 1.0 4/96 ECO #7470
A
W
E
D
Q
TAVAV
TAVEL
TEHAX
TDVEH
TEHDX
TELEH
TAVEH
DATA VALID
HIGH Z
TWLEH
Data Retention Mode
E
≥VDD -0.2V
E
VCC
TCDR
TR
4.5V
VDD
Data Retention - E Controlled
Data Retention Characteristics
Characteristic
Sym
Test Conditions
VDD
Min
Typ
Max
Unit
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 0.2V
2
--
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
E
≥ VDD -0.2V
2V
--
1
6
A
VIN
≥ VDD -0.2V
3V
--
1
8
A
Chip Disable to Data Retention Time(1) TCDR
or VIN
≤ 0.2V
0
--
ns
Operation Recovery Time (1)
TR
5
--
ms
Write Cycle 2 - E Controlled
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