分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 STB36NM60N品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

STB36NM60N • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
STB36NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 500 1:$11.44000
10:$10.38200
25:$9.62640
100:$8.82000
250:$8.06400
500:$7.50960
STB36NM60N • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 29A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫歐 @ 14.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 83.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2722pF @ 100V
功率 - 最大: 210W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 剪切帶 (CT)