分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC16DN25NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSC16DN25NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSC16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 5,000 5,000:$0.86255
10,000:$0.82938
25,000:$0.81279
50,000:$0.79620
IPD65R600E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 4,881 1:$2.22000
10:$1.90700
25:$1.71600
100:$1.55700
250:$1.39812
500:$1.20746
1,000:$1.01680
IPD65R600E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 2,500 2,500:$0.85792
5,000:$0.82615
12,500:$0.79438
25,000:$0.77849
62,500:$0.76260
BSC16DN25NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 32µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝: 帶卷 (TR)