分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD60R3K3C6品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD60R3K3C6 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 4,213 1:$0.73000
10:$0.63300
25:$0.56680
100:$0.50010
250:$0.43344
500:$0.36674
1,000:$0.29173
BUZ73A H Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 1,521 1:$1.31000
10:$1.16100
25:$1.04880
100:$0.91780
250:$0.80540
500:$0.71174
1,000:$0.56190
2,500:$0.52444
5,000:$0.49822
IPD60R3K3C6 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 93pF @ 100V
功率 - 最大: 18.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®