元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | 4,213 | 1:$0.73000 10:$0.63300 25:$0.56680 100:$0.50010 250:$0.43344 500:$0.36674 1,000:$0.29173 |
BUZ73A H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 | 1,521 | 1:$1.31000 10:$1.16100 25:$1.04880 100:$0.91780 250:$0.80540 500:$0.71174 1,000:$0.56190 2,500:$0.52444 5,000:$0.49822 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.7A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.3 歐姆 @ 500mA,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3.5V @ 40µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4.6nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 93pF @ 100V |
功率 - 最大: | 18.1W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO252-3 |
包裝: | Digi-Reel® |