| 元器件型號(hào) | 廠(chǎng)商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI7625DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | 7,883 | 1:$1.23000 25:$0.97200 100:$0.87480 250:$0.76140 500:$0.68040 1,000:$0.53460 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 35A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 126nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4427pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 52W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |