元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI5457DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET | 0 | 3,000:$0.19375 |
SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 12V SC-75-6 | 240 | 1:$0.68000 25:$0.47760 100:$0.40920 250:$0.35340 500:$0.30380 1,000:$0.23560 |
IRFZ14STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 0 | 800:$0.81428 |
類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 36 毫歐 @ 4.9A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1.4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1000pF @ 10V |
功率 - 最大: | 5.7W |
安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SMD,扁平引線(xiàn) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 1206-8 ChipFET? |
包裝: | 帶卷 (TR) |