分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4190ADY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4190ADY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSF N CH 100V 18.4A SO8 0 1:$1.75000
25:$1.35000
100:$1.22500
250:$1.10000
500:$0.95000
1,000:$0.80000
SI7409ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.67200
SI4190ADY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.8 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 50V
功率 - 最大: 6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: Digi-Reel®
電子產(chǎn)品資料
相關(guān)代理商
最新IC采購(gòu)型號(hào)