分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI1307DL-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI1307DL-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI1307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 0 3,000:$0.20925
SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L 0 1:$0.72000
25:$0.50040
100:$0.42900
250:$0.37052
500:$0.31850
1,000:$0.24700
SI1307DL-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 850mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 290 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 290mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-3
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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