元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI1307DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 | 0 | 3,000:$0.20925 |
SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L | 0 | 1:$0.72000 25:$0.50040 100:$0.42900 250:$0.37052 500:$0.31850 1,000:$0.24700 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 850mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 290 毫歐 @ 1A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 450mV @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | 290mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | SC-70,SOT-323 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SC-70-3 |
包裝: | 帶卷 (TR) |