參數(shù)資料
型號： DSPIC30F6015T-30I/PT
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 36/66頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DSPIC MCU/DSP 144K 64TQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,200
系列： dsPIC™ 30F
核心處理器： dsPIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 30 MIP
連通性： CAN，I²C，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 高級欠壓探測/復(fù)位，LVD，電機(jī)控制 PWM，QEI，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 52
程序存儲器容量： 144KB（48K x 24）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 4K x 8
RAM 容量： 8K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.5 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-TQFP
包裝： 帶卷 (TR)
配用： AC164315-ND - MODULE SKT MPLAB PM3 44TQFP
2010 Microchip Technology Inc.
DS70102K-page 41
dsPIC30F Flash Programming Specification
Step 6: Update the row address stored in NVMADRU:NVMADR. When W6 rolls over to 0x0, NVMADRU must be
incremented.
0000
430307
AF0042
EC2764
883B16
ADD
W6, W7, W6
BTSC
SR, #C
INC
NVMADRU
MOV
W6, NVMADR
Step 7: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 8: Repeat Steps 3-7 until all rows of code memory are erased.
Step 9: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase executive memory and initialize W7 for row address updates.
0000
EB0300
883B16
200807
883B27
200407
CLR
W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x80, W7
MOV
W7, NVMADRU
MOV
#0x40, W7
Step 10: Set NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
24071A
883B0A
MOV
#0x4071, W10
MOV
W10, NVMCON
Step 11: Unlock the NVMCON to erase 1 row of executive memory.
0000
200558
883B38
200AA9
883B39
MOV
#0x55, W8
MOV
W8, NVMKEY
MOV
#0xAA, W9
MOV
W9, NVMKEY
Step 12: Initiate the erase cycle.
0000
—
0000
A8E761
000000
—
000000
A9E761
000000
BSET NVMCON, #WR
NOP
Externally time ‘P13a’ ms (see Section 13.0 “AC/DC Characteristics and
NOP
BCLR NVMCON, #WR
NOP
Step 13: Update the row address stored in NVMADR.
0000
430307
883B16
ADD
W6, W7, W6
MOV
W6, NVMADR
Step 14: Reset device internal PC.
0000
040100
000000
GOTO 0x100
NOP
Step 15: Repeat Steps 10-14 until all 24 rows of executive memory are erased.
Step 16: Initialize NVMADR and NVMADRU to erase data memory and initialize W7 for row address updates.
0000
2XXXX6
883B16
2007F6
883B16
200207
MOV
#<lower 16-bits of starting Data EEPROM address>, W6
MOV
W6, NVMADR
MOV
#0x7F, W6
MOV
W6, NVMADRU
MOV
#0x20, W7
Step 17: Set NVMCON to erase 1 row of data memory.
0000
24075A
883B0A
MOV
#0x4075, W10
MOV
W10, NVMCON
TABLE 11-5:
SERIAL INSTRUCTION EXECUTION FOR ERASING PROGRAM MEMORY
(EITHER IN LOW-VOLTAGE OR NORMAL-VOLTAGE SYSTEMS) (CONTINUED)
Command
(Binary)
Data
(Hexadecimal)
Description
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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