參數(shù)資料
型號(hào): DS16EV5110ASQ/NOPB
廠商: National Semiconductor
文件頁數(shù): 1/6頁
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描述: IC EQUALIZER VIDEO 3D+C 48LLP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Signal Conditioning Applications
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
類型: 視頻均衡器
應(yīng)用: HD 顯示器,DVI/HDMI
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 48-WFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 48-LLP(7x7)
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: DS16EV5110ASQ
DS16EV5110ASQ-ND
DS16EV5110ASQ/NOPBTR
FJD5304D
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
1
July 2010
FJD5304D
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
Built-in Free Wheeling Diode
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Suitable for Electronic Ballast Application
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW = 300
s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Thermal Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
** Device mounted on minimum pad size.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
700
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
400
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
12
V
IC
Collector Current (DC)
4
A
ICP
* Collector Current (Pulse)
8
A
IB
Base Current (DC)
2
A
IBP
* Base Current (Pulse)
4
A
PC
Collector Dissipation
Tc = 25°C
Ta = 25°C
30
1.25
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 to 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
Rθja
Thermal Resistance Junction-Ambient **
99
°C/W
C
B
E
Equivalent Circuit
1. Base 2. Collector 3. Emitter
D-PAK
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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