型號(hào): | DS1250Y-100 |
廠商: | DALLAS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | Static RAM |
英文描述: | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP32 |
封裝: | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/11頁(yè) |
文件大?。?/td> | 217K |
代理商: | DS1250Y-100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DS1250W-150 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32 |
DS1250WP-150 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34 |
DS1250Y-70 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
DS1250YP-100 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
DS1250YP-70 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DS1250Y-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1250Y-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1250Y-100-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
DS1250Y-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1250Y-70 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |