- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄97858 > DS1230YP-70 (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC) 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | DS1230YP-70 |
| 廠商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| 封裝： | POWERCAP MODULE-34 |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 237K |
| 代理商： | DS1230YP-70 |
DS1230Y/AB
4 of 13
CAPACITANCE
(tA=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
5
10
pF
AC ELECTRICAL
(VCC=5V ± 5% for DS1230AB)
CHARACTERISTICS
(tA: See Note 10) (VCC=5V ± 10% for DS1230Y)
DS1230AB-70
DS1230Y-70
DS1230AB-85
DS1230Y-85
DS1230AB-100
DS1230Y-100
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle
Time
tRC
70
85
100
ns
Access Time
tACC
70
85
100
ns
OE
to Output
Valid
tOE
35
45
50
ns
CE
to Output
Valid
tCO
70
85
100
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High Z
from
Deselection
tOD
25
30
35
ns
5
Output Hold
from Address
Change
tOH
5
ns
Write Cycle
Time
tWC
70
85
100
ns
Write Pulse
Width
tWP
55
65
75
ns
3
Address Setup
Time
tAW
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z
from WE
tODW
25
30
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup
Time
tDS
30
35
40
ns
4
Data Hold
Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA28 |
| DS1230Y-200 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
| DS1230Y-120 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120 ns, DMA28 |
| DS1230AB-200 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| DS1230Y-85 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230YP-70+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230Y-P70IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230YP-70IND | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230YP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230YP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。