參數(shù)資料
型號(hào): DS1230AB-70
廠(chǎng)商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): Static RAM
英文描述: 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP28
封裝: DIP-28
文件頁(yè)數(shù): 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商: DS1230AB-70
DS1230Y/AB
7 of 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230YP-100 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34
DS1230Y-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP28
DS1230W-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DIP28
DS1230WP-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34
DS1230YL-70 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1230AB-70+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-70IND 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-70IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-85 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube