參數(shù)資料
型號： DG412HSDY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH QUAD SPST 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
功能： 開關(guān)
電路： 4 x SPST - NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 80 歐姆
電流 - 電源： 1µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC N
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： DG412HSDY-T1-E3DKR
Vishay Siliconix
DG411HS, DG412HS, DG413HS
www.vishay.com
8
Document Number: 72053
S13-1283-Rev. D, 27-May-13
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TEST CIRCUITS
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?72053.
Figure 4. Charge Injection
CL
1 nF
D
Rg
VO
V+
S
V-
3 V
IN
VL
Vg
-15 V
GND
+ 15 V
+ 5 V
OFF
ON
OFF
ON
OFF
VO
ΔVO
INX
Q =
ΔVO x CL
Figure 5. Crosstalk
0 V, 2.4 V
S1
XTALK Isolation = 20 log
VO
VS
D2
C = RF bypass
RL
D1
S2
VS
0 V, 2.4 V
IN1
50
Ω
VO
IN2
Rg = 50 Ω
VL
V+
- 15 V
GND
V -
NC
C
+ 15 V
C
+ 5 V
C
Figure 6. Off-Isolation
RL
50
Ω
D
0 V, 2.4 V
V+
Rg = 50 Ω
-15 V
GND
V-
C
VS
Off Isolation = 20 log
VO
VS
IN
VL
VO
+ 5 V
C
+ 15 V
S
C
C = RF Bypass
Figure 7. Source/Drain Capacitances
D
IN
S
VL
V+
-15 V
GND
V -
C
0 V, 2.4 V
Meter
HP4192A
Impedance
Analyzer
or Equivalent
+ 5 V
C
+ 15 V
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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DG412LDJ-E3 功能描述:模擬開關(guān) IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG412LDQ 功能描述:模擬開關(guān) IC LOW VOLTAGE SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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