參數(shù)資料
型號： DG2018DN-T1-E4
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 3/10頁
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描述： IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
標準包裝： 2,500
功能： 開關(guān)
電路： 2 x DPDT - NC/NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 8 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 10nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-QFN（3x3）
包裝： 帶卷 (TR)
www.vishay.com
2
Document Number: 72342
S-82626-Rev. C, 03-Nov-08
Vishay Siliconix
DG2018, DG2019
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION
Notes:
a. Signals on NC, NO, or COM or IN exceeding V+ will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b. All leads welded or soldered to PC board.
c. Derate 4.0 mW/°C above 70 °C.
IN
NO4
COM2
NO2
NC3
VL
NC1
COM4
1
2
3
12
11
10
49
56
8
16
15
14
13
NC2
GND
NO3 COM3
COM1 NO1
V+
NC4
Top View
DG2019DN
QFN-16 (3 X 3)
7
TRUTH TABLE
Logic
NC1, 2, 3 and 4
NO1, 2, 3 and 4
0ON
OFF
1OFF
ON
ORDERING INFORMATION
Temp. Range
Package
Part Number
- 40 °C to 85 °C
QFN-16 (3 x 3 mm)
DG2019DN
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Limit
Unit
Reference V+ to GND
- 0.3 to + 6
V
IN, COM, NC, NO
- 0.3 to (V+ + 0.3)
Continuous Current (Any terminal)
± 50
mA
Peak Current (Pulsed at 1 ms, 10 % Duty Cycle)
± 100
Storage Temperature (D Suffix)
- 65 to 150
°C
Power Dissipation (Packages)b
QFN-16 (3 x 3 mm)c
850
mW
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PDF描述
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