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半導體材料概述
光輻照對MgB2超導體電子結構的影響
熱釋電薄膜單片式非致冷紅外焦平面陣列的研究
“開發(fā)45nm以后LSI工藝材料”JSR建成新無塵操作廠房
電子陶瓷新材料在手機上新用處
擴散爐現(xiàn)狀與展望
T46X型硒鎵銀單晶爐的研制
光刻機的匹配和調整
GE材料為電子設備提供卓越導熱性能
淺談兩種新型干燥爐傳動系統(tǒng)的設計特點
0.2-1μm IC生產(chǎn)線中二手Stepper解決方案
UV固化工藝及設備
我國人工晶體生長設備的發(fā)展與展望
在電工電子工業(yè)中應用的氦質譜檢漏儀及其輔助設備
ASYST—加強中國半導體設備自動化市場領導地位
如何使機械運動部件控制最佳
21世紀的硅微電子學
電子專用設備企業(yè)發(fā)展勢頭強勁
鈷鎳與多晶鍺硅的固相反應和肖特基接觸特性
半導體材料
新型硅芯晶體爐的開發(fā)與設計
全自動平板涂膠機的研制及應用
GE氮化硼填料為電子設備提供卓越導熱性能
電子束蒸發(fā)沉積ZAO薄膜正交試驗
氟氣─清洗化學氣相沉積反應器腔室的創(chuàng)新方式
MOCVD TiN薄膜厚度漂移對于W填充能力的影響
濺射工藝對晶片碎片的影響
WSix復合柵薄膜工藝開發(fā)
微尺度熱傳導理論及金屬薄膜的短脈沖激光加熱
我國首次合成納米級金剛石晶體薄膜
DPN MOS 絕緣柵氮處理技術
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重摻硅襯底材料中氧沉淀研究進展
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自動化蝕刻控制下的可重復性
SiGe HBT 發(fā)射極臺面濕法腐蝕技術研究
Al-Si合金RIE參數(shù)選擇
Bi3.25 La0.75 Ti3O12薄膜的化學溶液淀積方法制備及表征
SF6/O2/CHF3混合氣體對硅材料的反應離子刻蝕研究
TMAH單晶硅腐蝕特性研究
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奇數(shù)次分頻器
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SyStemC架起了橋梁
面向21世紀在表面安裝技術
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