參數(shù)資料
型號: CY7C1170V18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述: 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)(2.5周期讀寫延遲)
文件頁數(shù): 12/27頁
文件大小: 963K
代理商: CY7C1170V18
CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1166V18)
Logic Block Diagram (CY7C1177V18)
CLK
A(19:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
Read
Add.
D
ecode
Read Data Reg.
R/W
DQ[7:0]
Output
Logic
Reg.
8
16
8
NWS[1:0]
VREF
W
rite
Add.
D
ecode
8
LD
Control
20
1M
x
8
Array
1M
x
8
Arr
a
y
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
8
CLK
A(19:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
Read
Add.
De
code
Read Data Reg.
R/W
DQ[8:0]
Output
Logic
Reg.
9
18
9
BWS[0]
VREF
W
rite
Add.
De
code
9
LD
Control
20
1M
x
9
Array
1M
x
9
Arr
a
y
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
9
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1177V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1215H-100AXC 1-Mbit (32K x 32) Pipelined Sync SRAM
CY7C1215H-100AXI 1-Mbit (32K x 32) Pipelined Sync SRAM
CY7C1215H-133AXC 1-Mbit (32K x 32) Pipelined Sync SRAM
CY7C1215H-133AXI 1-Mbit (32K x 32) Pipelined Sync SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1170V18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1170V18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1170XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1214F-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1214F-100ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: