參數(shù)資料
型號: CY62137VLL-70BAI
英文描述: x16 SRAM
中文描述: x16的SRAM
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 153K
代理商: CY62137VLL-70BAI
CY62147V18 MoBL2
7
Notes:
14. Data I/O is high-impedance if OE = V
.
15. If CE goes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.
16. During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
OE
t
HZOE
DATA
IN
VALID
NOTE
Write Cycle No. 1 (WE Controlled)
[9, 14, 15]
16
BHE/BLE
t
BW
t
WC
t
AW
t
SA
t
HA
t
HD
t
SD
t
SCE
WE
DATA I/O
ADDRESS
CE
DATA
IN
VALID
Write Cycle No. 2 (CE Controlled)
[8, 14, 15]
BHE/BLE
t
BW
t
PWE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62146VLL-70BAI x16 SRAM
CY62147BV18LL-70BAI x16 SRAM
CY62148LL-100SI x8 SRAM
CY62148LL-100ZSC x8 SRAM
CY62148LL-100ZSI x8 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62137VLL-70ZE 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137VLL-70ZI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137VLL-70ZSXE 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62137VLL-70ZSXET 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62137VLL-70ZXE 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2