參數(shù)資料
型號： CMPTA56
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： CMPTA56
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
IBM
PD
80
80
4.0
500
100
200
350
V
V
V
mA
mA
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
ICBO
ICEO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
fT
VCB=80V
VCB=80V, TA=150°C
VCE=60V
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=2.0V, IC=10mA, f=100MHz (CMPTA06)
VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz(CMPTA56)
100
20
100
nA
μA
nA
V
V
V
V
80
4.0
0.25
1.20
100
100
100
50
MHz
MHz
CMPTA06 NPN
CMPTA56 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R5 (13-November 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA06,
CMPTA56 types are complementary silicon
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for small signal general
purpose and switching applications.
MARKING CODES: CMPTA06 : C1G
CMPTA56 : C2G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPTA42 SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CMPTA42NPN SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CMPTA92PNP SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CMPZ4101 CAP 470PF 100V +50-20% NP0(C0G) SMD-1206 SN100 TR-7-PL FEED-THRU
CMPZ4102 Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:1000pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:1206; Series:W3F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes
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參數(shù)描述
CMPTA56 T&R 3000 PCS 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA56 TR 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPT Series 80 V 500 mA PNP Surface Mount Silicon Transistor - SOT-23
CMPTA56TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single PNP 80V 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMPTA63 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
CMPTA64 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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