參數(shù)資料
型號(hào)： CMPT2222A
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 80K
代理商： CMPT2222A
Ce nt ra l
S e m ico nd uct o r Co rp .
TM
158
SOT-23 CASE
CMPT2222A
NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
CMPT2222A type is an NPN silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for small signal general purpose and
switching applications.
Marking Code is C1P.
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
UNITS
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
75
40
6.0
V
V
V
600
350
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
o
C
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICEV
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VCB=60V, TA=125
o
C
VCE=60V, VEB=3.0V
VEB=3.0V
IC=10
μ
A
IC=10mA
IE=10
μ
A
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=150mA
MIN
MAX
10
10
10
10
UNITS
nA
μ
A
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
75
40
6.0
0.3
1.0
1.2
2.0
0.6
35
50
75
50
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PDF描述
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CMPT2222AE TR 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:Transistors Bipolar - BJT NPN Enhanced
CMPT2222AE_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
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