參數(shù)資料
型號(hào)： CMBT3905
廠商： Continental Device India Limited
英文描述： SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 硅外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： CMBT3905
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 2 of 3
RATINGS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation*
up to T
amb
= 25 °C
Storage temperature
–V
CB0
–V
CE0
–V
EB0
–I
C
max.
max.
max.
max.
40 V
40 V
5 V
200 mA
P
tot
T
stg
max.
–55 to +150 °C
250
mW
THERMAL CHARACTERISTICS
T
j
= P(R
th j–t
+
R
th t–s
+
R
th s–a
)
+
T
amb
Thermal resistance
from junction to ambient
R
th j–a
=
200
°C/W
CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
T
amb
=
25 °C unless otherwise specified
Collector–emitter breakdown voltage
–I
C
= 1 mA; l
B
= 0
Collector–base breakdown voltage
–I
C
= 10
μ
A; I
E
= 0
Emitter–base breakdown voltage
—I
E
= 10
μ
A; I
C
= 0
Collector cut–off current
–V
CE
= 30 V; –V
EB
= 3 V
Base current
with reverse biased emitter junction
Output capacitance at f = 100 kHz
I
E
= 0; –V
CB
= 5 V
Input capacitance at f = 100 kHz
I
C
= 0; –V
BE
= 0,5 V
–V
(BR)CE0
min.
40 V
–V
(BR)CB0
min.
40 V
–V
(BR)EB0
min.
5 V
–I
CEX
max.
50 nA
–I
BEX
max.
50 nA
C
c
max.
4.5 pF
C
e
max.
10 pF
Saturation voltages
–I
C
= 10 mA; –I
B
= 1 mA
–V
CEsat
max.
0,25 V
–I
C
= 50 mA; –I
B
= 5 mA
–V
CEsat
max.
0,4 V
–I
C
= 10 mA; –I
B
= 1 mA
–V
BEsat
min.
max.
0,65 V
0,85 V
–I
C
= 50 mA; –I
B
= 5 mA
–V
BEsat
max.
0,95 V
D.C. current gain
–I
C
= 0,1 mA; –V
CE
= 1 V
–I
C
= 1 mA; –V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
min.
min.
30
40
–I
C
= 10 mA; –V
CE
= 1 V
h
FE
min.
max.
50
150
CMBT3905
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBT3906 SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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