亚洲精品国产精品国自产!,6080yy国产精品

相關(guān)PDF資料	PDF描述
CM800HA24H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA50H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 2.5KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA66H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HB66H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| COMPLEX BRIDGE \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA28H	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.4KV V(BR)CES \| 800A I(C)

相關(guān)PDF資料

PDF描述

CM800HA24H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HA50H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 2.5KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HA66H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HB66H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C)

CM800HA28H

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 800A I(C)

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
CM75TF-12H	功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM75TF-24H	功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM75TF-28H	功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM75TJ-24F	制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts
CM75TL-12NF	功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

CM75TF-12H

功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM75TF-24H

功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM75TF-28H

功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER RoHS:否類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

CM75TJ-24F

制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts

CM75TL-12NF

功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數(shù)量	廠商	批號	封裝

添加更多采購

型號：	CM75TF12E
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C)
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\| 3 - PH值大橋\| 600V的五（巴西）國際消費電子展\| 75A條一（c）
文件頁數(shù)：	1/4頁
文件大?。?/td>	325K
代理商：	CM75TF12E

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價