型號: | CM200S32.768KDZE-UT |
元件分類: | 晶體 |
英文描述: | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD , 4 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 1239K |
代理商: | CM200S32.768KDZE-UT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CM200S32.768KDZE-B | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
CM200S32.768KDZE-UB | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
CM200S32.768KDZB-UT | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz |
CM309S5.3333MBBK-B | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 5.3333 MHz |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CM200TL-12NF | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 200A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM200TL-24NF | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 200A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM200TU-12F | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 200A F SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM200TU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM200TU-12H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 200A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |