品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF1407,IRF1405 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個(gè)
¥1.80
品牌:IR | 型號(hào):IRFPC40 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥0.80
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K1012 2SK1012 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最低起批量:1PC | 應(yīng)用范圍:功率
≥1 個(gè)
¥0.80
≥1 個(gè)
¥1.30
≥1 個(gè)
¥1.30
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):2SK1050 K1050 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥1.30
品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):2SK1410 K1410 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥1.20
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK3522 K3522 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最低起批量:1PC | 應(yīng)用范圍:功率
≥1 個(gè)
¥1.40
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):K1916 2SK1916 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最低起批量:1PC | 應(yīng)用范圍:功率
≥1 個(gè)
¥0.95
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP460Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥1.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP250,IRFP250N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個(gè)
¥1.35
品牌:ST/意法 | 型號(hào):75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.40
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):47N60C3 47N60CFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機(jī) | 最低起批量:1PC
≥1 個(gè)
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):G80N60UFD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥8.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3206 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
¥1.30
1000-1999 個(gè)
¥1.15
≥2000 個(gè)
¥1.12
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP21N50C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):33 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:33
≥1 個(gè)
¥6.50
品牌:ST/意法 | 型號(hào):W10NB60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個(gè)
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號(hào):W16NA60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP3703 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 封裝形式:247 | 批號(hào):TO-247 | 封裝:拆機(jī)/散新 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
¥2.00
品牌:SANKEN | 型號(hào):A1492.C3856 | 溝道類型:其他 | 用途:音響 | 類型:其他IC | 批號(hào):TO-3P | 封裝:拆機(jī)/散新
≥1 PCS
¥1.70