品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:進口/三星/ST | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:通信IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP2N60B | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

類型:通信IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS2N60B | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:ST/意法 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:4 | 跨導:4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數(shù):4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4

品牌:進口 | 型號:1N60，2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:. | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:通信IC | 品牌:N\A | 型號:2N60 | 封裝:TO-220 | 批號:拆機.散新

品牌:ST/意法 | 型號:2N60 1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:進口拆機 | 型號:FS10KM-12 MTP1N60 MTP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:= | 開啟電壓:= | 夾斷電壓:= | 低頻噪聲系數(shù):= | 極間電容:= | 最大耗散功率:= | 低頻跨導:=

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:IXFB70N60Q2 | 材料:硅(Si)

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2n60 | 材料:鍺(Ge)

品牌:ST/意法 | 型號:P60NF06 P65NF06 2SK3435 AOT430 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:IXGH60N60C2 | 材料:硅(Si)

品牌:進口名牌廠家 | 型號:特價供應拆機FQP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2 | 開啟電壓:600

品牌:各種進口名牌廠家 | 型號:拆機場效應管FQP2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道