品牌:AVX | 型號:100UF 10V C-6032 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20(%) | 耐壓值:10(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0(mΩ) | 標(biāo)稱容量:100(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:10(V) | 絕緣電阻:0(mΩ)
≥500 PCS
¥0.54
品牌:AVX | 型號:TAJB107M006RNJ | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1(mΩ) | 標(biāo)稱容量:100(uF) | 損耗:1 | 額定電壓:6.3(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):0
2000-3999 PCS
¥0.30
4000-9999 PCS
¥0.25
≥10000 PCS
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3917 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3940ASA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3757 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3661 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC1843 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3622 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3624 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:225CNQ015 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:AVX | 型號:TAJB336K016RNJ 33UF 16V B 3528 粵華聯(lián)AVX鉭電容 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:16(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0.1(mΩ) | 標(biāo)稱容量:33(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:16(V) | 絕緣電阻:0.1(mΩ) | 溫度系數(shù):85度 | 包裝形式:2000 pcs/卷
品牌:AVX | 型號:TAJB336K010RNJ 33UF 10V B 3528 粵華聯(lián)AVX鉭電容 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:10(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0(mΩ) | 標(biāo)稱容量:33(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:10(V) | 絕緣電阻:0(mΩ) | 溫度系數(shù):85度 | 包裝形式:2000 pcs/卷
品牌:AVX | 型號:TAJB107K010RNJ | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:10(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1(mΩ) | 標(biāo)稱容量:100(uF) | 損耗:1 | 額定電壓:10(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):1
500-999 PCS
¥0.20
1000-1999 PCS
¥0.19
≥2000 PCS
¥0.18
品牌:AVX | 型號:TAP107K006SCS | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):50(mΩ) | 損耗:50 | 額定電壓:6(V) | 絕緣電阻:50(mΩ) | 溫度系數(shù):50 | 標(biāo)稱容量:80
≥50 PCS
¥0.20
品牌:AVX | 型號:TAP337K006CCS | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):50(mΩ) | 損耗:50 | 額定電壓:6(V) | 絕緣電阻:50(mΩ) | 溫度系數(shù):50 | 標(biāo)稱容量:50
≥50 PCS
¥0.20
品牌:AVX | 型號:TAP226K006SCS | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):50(mΩ) | 損耗:50 | 額定電壓:6.3(V) | 絕緣電阻:50(mΩ) | 溫度系數(shù):50 | 標(biāo)稱容量:50
≥50 PCS
¥0.20
品牌:AVX | 型號:TAP157K010CCS | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:10(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):50(mΩ) | 損耗:50 | 額定電壓:10(V) | 絕緣電阻:50(mΩ) | 溫度系數(shù):50 | 標(biāo)稱容量:50
≥50 PCS
¥0.30
品牌:AVX | 型號:TAP107K035SCS | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:25(V)
≥1000 PCS
¥0.03
品牌:AVX | 型號:TAJB225K025RNJ | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:25(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1(mΩ) | 標(biāo)稱容量:2.2(uF) | 損耗:1 | 額定電壓:25(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):1
≥100 PCS
¥0.10