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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CAT28LV256NI-20 |
| 廠(chǎng)商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 32K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | CAT28LV256NI-20 |
CAT28LV256
5
Doc. No. MD-1071, Rev. D
2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
A.C. CHARACTERISTICS, Write Cycle
VCC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
28LV256-20
28LV256-25
28LV256-30
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Units
tWC
Write Cycle Time
10
ms
tAS
Address Setup Time
0
ns
tAH
Address Hold Time
100
ns
tCS
CE Setup Time
0
ns
tCH
CE Hold Time
0
ns
tCW(3)
CE Pulse Time
150
ns
tOES
OE Setup Time
0
ns
tOEH
OE Hold Time
0
ns
tWP(3)
WE Pulse Width
150
ns
tDS
Data Setup Time
50
ns
tDH
Data Hold Time
0
ns
tINIT(1)
Write Inhibit Period After Power-up
5
10
5
10
5
10
ms
tBLC(1)(4)
Byte Load Cycle Time
0.15
100
0.15
100
0.15
100
s
Vcc
1.8K
CL = 100 pF
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
1.3K
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
INPUT PULSE LEVELS
REFERENCE POINTS
2.0 V
0.6 V
VCC - 0.3V
0.0 V
Figure 1. A.C. Testing Input/Output Waveform(2)
28LV256 F04
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
(3) A write pulse of less than 20ns duration will not initiate a write cycle.
(4) A timer of duration tBLC max. begins with every LOW to HIGH transition of WE. If allowed to time out, a page or byte write will begin;
however a transition from HIGH to LOW within tBLC max. stops the timer.
Figure 2. A.C. Testing Load Circuit (example)
28LV256 F05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CAT28LV256P-35 | 32K X 8 EEPROM 3V, 350 ns, PDIP28 |
| CAT29F150N-15B | 13 Output, 3.3V SDRAM Buffer for Desktop PCs with 3 DIMMs |
| CAT29F150N-15T | 18 Output, 3.3V SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DIMMs |
| CAT29F150N-20B | x8 Flash EEPROM |
| CAT29F150N-20T | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CAT28LV256NI25 | 制造商:Catalyst Semiconductor 功能描述: |
| CAT28LV256NI-25 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256NI-30 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256P-25 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256P-30 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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