參數(shù)資料
型號(hào): C8051T601-GM
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù): 186/188頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC 8051 MCU 8K-EEPROM 11-QFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Serial Communication Overview
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 122
系列: C8051T60x
核心處理器: 8051
芯體尺寸: 8-位
速度: 25MHz
連通性: SMBus(2 線/I²C),UART/USART
外圍設(shè)備: POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 8
程序存儲(chǔ)器容量: 8KB(8K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: OTP
RAM 容量: 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 3.6 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 10-VFDFN 裸露焊盤
包裝: 管件
配用: 336-1404-ND - KIT DEV FOR C8051T60X MCU'S
其它名稱: 336-1652-5
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Rev. 1.2
97
C8051T600/1/2/3/4/5/6
20. EPROM Memory
Electrically programmable read-only memory (EPROM) is included on-chip for program code storage. The
EPROM memory can be programmed via the C2 debug and programming interface when a special pro-
gramming voltage is applied to the VPP pin. Each location in EPROM memory is programmable only once
(i.e., non-erasable). Table 8.6 on page 34 shows the EPROM specifications.
20.1. Programming and Reading the EPROM Memory
Reading and writing the EPROM memory is accomplished through the C2 programming and debug inter-
face. When creating hardware to program the EPROM, it is necessary to follow the programming steps
listed below. Refer to the “C2 Interface Specification” available at http://www.silabs.com for details on com-
municating via the C2 interface. Section “27. C2 Interface” on page 178 has information about C2 register
addresses for the C8051T600/1/2/3/4/5/6.
20.1.1. EPROM Write Procedure
1. Reset the device using the RST pin.
2. Wait at least 20 s before sending the first C2 command.
3. Place the device in core reset: Write 0x04 to the DEVCTL register.
4. Set the device to program mode (1st step): Write 0x40 to the EPCTL register.
5. Set the device to program mode (2nd step): Write 0x58 to the EPCTL register.
6. Apply the VPP programming Voltage.
7. Write the first EPROM address for programming to EPADDRH and EPADDRL.
8. Write a data byte to EPDAT. EPADDRH:L will increment by 1 after this write.
9. Use a C2 Address Read command to poll for write completion.
10.(Optional) Check the ERROR bit in register EPSTAT and abort the programming operation if necessary.
11. If programming is not finished, return to Step 8 to write the next address in sequence, or return to
Step 7 to program a new address.
12.Remove the VPP programming Voltage.
13.Remove program mode (1st step): Write 0x40 to the EPCTL register.
14.Remove program mode (2nd step): Write 0x00 to the EPCTL register.
15.Reset the device: Write 0x02 and then 0x00 to the DEVCTL register.
Important Note: There is a finite amount of time which VPP can be applied without damaging the device,
which is cumulative over the life of the device. Refer to Table 8.1 on page 30 for the VPP timing specifica-
tion.
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PDF描述
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參數(shù)描述
C8051T601-GMR 功能描述:8位微控制器 -MCU 8K OTP 11Pin QFN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051T601-GS 功能描述:8位微控制器 -MCU 8K OTP 14Pin SOIC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051T601-GSR 功能描述:8位微控制器 -MCU 8K OTP 14Pin SOIC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051T602 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:Mixed Signal OTP EPROM MCU Family
C8051T602-GM 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K OTP 10ADC 11Pin QFN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT